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onsemi FDG6303N MOSFET

訂貨號(hào)：FDG6303N 品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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增強(qiáng)模式雙 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專(zhuān)利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類(lèi)型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	500 mA
最大漏源電壓	25 V
封裝類(lèi)型	SOT-363 (SC-70)
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	770 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	0.65V
最大功率耗散	300 mW
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	+8 V
晶體管材料	Si
長(zhǎng)度	2mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
典型柵極電荷@Vgs	1.64 nC @ 5 V
寬度	1.25mm

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