Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗盡型 DMOS FET 晶體管適用于要求高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和切換速度快的應用。
高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏
常開開關
固態繼電器
轉換器
線性放大器
恒定電流源
電源電路
電信
DN3135 是一款低閾值耗盡型（常開）晶體管，采用先進的垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。
高輸入阻抗
低輸入電容
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 72 mA |
| 最大漏源電壓 | 350 V |
| 封裝類型 | SOT |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 35 Ω |
| 通道模式 | 消耗 |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -3.5 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 3.04mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 1.4mm |
