Vishay 第三代功率 MOSFET 為設計人員提供了快速切換，耐震設備設計，低接通電阻和成本效益的最佳組合。D2PAK (TO-263) 由于其內部連接電阻低，適用于高電流應用，在典型表面安裝應用中可耗散高達 2.0 W。
動態 dV/dt 額定值
重復性耐雪崩等級
簡單的驅動要求
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 8 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 850 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 3100 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 38 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 9.65mm |
| 長度 | 10.67mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
