Infineon IPD053N08N3G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機應(yīng)用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。
快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù)，用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍
Infineon MOSFET
Infineon TO-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 5.3 毫歐姆的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 80V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過優(yōu)化、可降低開關(guān)和傳導損耗。MOSFET 可應(yīng)對最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用、在有限的空間內(nèi)提供完全的靈活性。它旨在滿足并超越計算應(yīng)用中經(jīng)過強化的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
特點和優(yōu)勢
?雙面冷卻
?出色的柵極充電 x R DS （開）產(chǎn)品（ FOM ）
? 無鹵素
?無鉛 (Pb) 電鍍
?寄生電感低
?薄型（< 0 、 7mm ）
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?優(yōu)化的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器技術(shù)
?優(yōu)異的熱阻
?電阻極低
應(yīng)用
?交流 - 直流
?適配器
?直流 - 直流
? LED
? 電動機控制
? PC 電源
?服務(wù)器電源
? SMPS
? 太陽能
? 電信
認證
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC
MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
90 A |
| 最大漏源電壓 |
80 V |
| 封裝類型 |
DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
9.5 mΩ |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
3.5V |
| 最小柵閾值電壓 |
2V |
| 最大功率耗散 |
150 W |
| 晶體管配置 |
單 |
| 最大柵源電壓 |
-20 V、+20 V |
| 晶體管材料 |
Si |
| 典型柵極電荷@Vgs |
52 nC @ 10 V |
| 長度 |
6.73mm |
| 最高工作溫度 |
+175 °C |
| 寬度 |
6.22mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |
